Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
技術文件
規格
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
19 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.02mm
產品詳情
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
醞釀。 創造。 合作
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246.30 MOP
Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
生產包 (卷)
10
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暫時無法取得庫存資訊。
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VishayChannel Type
P
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6 A
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12 V
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SOT-23
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Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
19 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
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