STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

RS 庫存號: 795-8975品牌: STMicroelectronics製造商零件號: STGB10NC60KDT4
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技術文件

規格

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

20 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

65 W

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

產品詳情

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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222.60 MOP

43.38 MOP Each (In a Pack of 5) (不含稅)

STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
選擇包裝類型

標準

選擇包裝類型

標準 - each

可用的倍數 5.

生產 -

可用的倍數 5.

建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

5

可用的倍數 5
5222.60 MOP
10445.20 MOP
15667.80 MOP
20890.40 MOP
251,112.90 MOP
301,335.50 MOP
351,558.10 MOP
401,780.70 MOP
452,003.30 MOP
502,169.20 MOP
552,386.10 MOP
602,603.00 MOP
652,820.00 MOP
703,036.90 MOP
753,253.80 MOP

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301,335.50 MOP
351,558.10 MOP
401,780.70 MOP
452,003.30 MOP
502,169.20 MOP
552,386.10 MOP
602,603.00 MOP
652,820.00 MOP
703,036.90 MOP
753,253.80 MOP

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數量單價
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100+42.66 MOP

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20 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

65 W

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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