Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin X2-DFN1006 DMN2300UFB4-7B
技術文件
規格
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.95V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
0.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
原產地
China
產品詳情
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
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- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
2,432.00 MOP
48.64 MOP Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
生產包 (卷)
50
2,432.00 MOP
48.64 MOP Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
生產包 (卷)
50
暫時無法取得庫存資訊。
| 數量 | 單價 |
|---|---|
| 50 - 99 | 48.64 MOP |
| 100+ | 47.92 MOP |
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技術文件
規格
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.95V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
0.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
原產地
China
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