Fairchild ISL9V5036S3ST IGBT, 46 A 420 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

RS 庫存號: 862-9362品牌: Fairchild Semiconductor製造商零件號: ISL9V5036S3ST
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技術文件

規格

Brand

Fairchild Semiconductor

Maximum Continuous Collector Current

46 A

Maximum Collector Emitter Voltage

420 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±14V

Maximum Power Dissipation

250 W

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

產品詳情

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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954.20 MOP

186.11 MOP Each (In a Pack of 5) (不含稅)

Fairchild ISL9V5036S3ST IGBT, 46 A 420 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
選擇包裝類型

標準

選擇包裝類型

標準 - each

可用的倍數 5.

生產 -

可用的倍數 5.

建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

5

可用的倍數 5
5954.20 MOP
101,908.50 MOP
152,862.70 MOP
203,817.00 MOP
254,771.20 MOP
305,725.50 MOP
356,679.70 MOP
407,444.30 MOP
458,374.90 MOP
509,305.40 MOP
5510,236.00 MOP
6011,166.50 MOP
6512,097.00 MOP
7013,027.60 MOP
7513,958.10 MOP

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254,771.20 MOP
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356,679.70 MOP
407,444.30 MOP
458,374.90 MOP
509,305.40 MOP
5510,236.00 MOP
6011,166.50 MOP
6512,097.00 MOP
7013,027.60 MOP
7513,958.10 MOP

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數量單價
40 - 79186.11 MOP
80+183.22 MOP

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Package Type

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Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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