onsemi P-Channel MOSFET, 11.4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMS4177PR2G
技術文件
規格
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
產品詳情
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
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534.80 MOP
52.56 MOP Each (In a Pack of 10) (不含稅)
標準
10
534.80 MOP
52.56 MOP Each (In a Pack of 10) (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
標準
10
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| 數量 | 單價 |
|---|---|
| 63 - 124 | 52.56 MOP |
| 125+ | 51.52 MOP |
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P
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8
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
4mm
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1.5mm
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