STMicroelectronics STGD19N40LZ IGBT, 25 A 425 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

RS 庫存號: 791-9330P品牌: STMicroelectronics製造商零件號: STGD19N40LZ
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技術文件

規格

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

25 A

Maximum Collector Emitter Voltage

425 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±16V

Maximum Power Dissipation

125 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

產品詳情

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (不含稅)

STMicroelectronics STGD19N40LZ IGBT, 25 A 425 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
選擇包裝類型

生產包 (卷)

選擇包裝類型

標準 - each

可用的倍數 5.

生產 -

可用的倍數 5.

建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

5

可用的倍數 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

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STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

25 A

Maximum Collector Emitter Voltage

425 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±16V

Maximum Power Dissipation

125 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

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-55 °C

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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