Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 6-Pin SC-70-6L SQA405EJ-T1_GE3

RS 庫存號: 178-3711品牌: Vishay Siliconix製造商零件號: SQA405EJ-T1_GE3
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技術文件

規格

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SC-70-6L

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

13.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

2.2mm

Height

1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

原產地

China

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15,996,348.40 MOP

Each (On a Reel of 3000) (不含稅)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 6-Pin SC-70-6L SQA405EJ-T1_GE3

3000

可用的倍數 3000
300015,996,348.40 MOP
600031,992,696.90 MOP
900047,989,045.40 MOP
1200063,985,393.80 MOP
1500079,981,742.20 MOP
1800095,978,090.70 MOP
21000111,974,439.20 MOP
24000127,970,787.60 MOP
27000143,967,136.00 MOP
30000159,963,484.50 MOP
33000175,959,833.00 MOP
36000191,956,181.40 MOP
39000207,952,529.80 MOP
42000223,948,878.30 MOP
45000239,945,226.80 MOP

15,996,348.40 MOP

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900047,989,045.40 MOP
1200063,985,393.80 MOP
1500079,981,742.20 MOP
1800095,978,090.70 MOP
21000111,974,439.20 MOP
24000127,970,787.60 MOP
27000143,967,136.00 MOP
30000159,963,484.50 MOP
33000175,959,833.00 MOP
36000191,956,181.40 MOP
39000207,952,529.80 MOP
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P

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Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

13.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

1.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

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1

Length

2.2mm

Height

1mm

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