Infineon IRF7343PbF N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 IRF7343TRPBF

RS 庫存號: 170-2265品牌: Infineon製造商零件號: IRF7343TRPBF
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技術文件

規格

Brand

Infineon

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3.4 A, 4.7 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

IRF7343PbF

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.065 Ω, 0.17 Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.5mm

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50,750,064.00 MOP

Each (On a Reel of 4000) (不含稅)

Infineon IRF7343PbF N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 IRF7343TRPBF

4000

可用的倍數 4000
400050,750,064.00 MOP
8000101,500,128.00 MOP
12000152,250,192.00 MOP
16000203,000,256.00 MOP
20000253,750,320.00 MOP
24000304,500,384.00 MOP
28000355,250,448.00 MOP
32000406,000,512.00 MOP
36000456,750,576.00 MOP
40000507,500,640.00 MOP
44000558,250,704.00 MOP
48000609,000,768.00 MOP
52000659,750,832.00 MOP
56000710,500,896.00 MOP
60000761,250,960.00 MOP

50,750,064.00 MOP

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可用的倍數 4000
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8000101,500,128.00 MOP
12000152,250,192.00 MOP
16000203,000,256.00 MOP
20000253,750,320.00 MOP
24000304,500,384.00 MOP
28000355,250,448.00 MOP
32000406,000,512.00 MOP
36000456,750,576.00 MOP
40000507,500,640.00 MOP
44000558,250,704.00 MOP
48000609,000,768.00 MOP
52000659,750,832.00 MOP
56000710,500,896.00 MOP
60000761,250,960.00 MOP

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Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

IRF7343PbF

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.065 Ω, 0.17 Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4mm

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V

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