Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR392DP-T1-GE3

RS 庫存號: 178-3670品牌: Vishay Siliconix製造商零件號: SiDR392DP-T1-GE3
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技術文件

規格

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

PowerPAK SO-8DC

Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

900 μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V, +6 V

Typical Gate Charge @ Vgs

125 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

5mm

Length

5.99mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Height

1.07mm

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99,534,243.20 MOP

Each (On a Reel of 3000) (不含稅)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR392DP-T1-GE3

3000

可用的倍數 3000
300099,534,243.20 MOP
6000199,068,486.30 MOP
9000298,602,729.40 MOP
12000398,136,972.60 MOP
15000497,671,215.80 MOP
18000597,205,458.90 MOP
21000696,739,702.00 MOP
24000796,273,945.20 MOP
27000895,808,188.40 MOP
30000995,342,431.50 MOP
330001,094,876,674.60 MOP
360001,194,410,917.80 MOP
390001,293,945,161.00 MOP
420001,393,479,404.10 MOP
450001,493,013,647.20 MOP

99,534,243.20 MOP

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12000398,136,972.60 MOP
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18000597,205,458.90 MOP
21000696,739,702.00 MOP
24000796,273,945.20 MOP
27000895,808,188.40 MOP
30000995,342,431.50 MOP
330001,094,876,674.60 MOP
360001,194,410,917.80 MOP
390001,293,945,161.00 MOP
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N

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100 A

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30 V

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Series

TrenchFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

900 μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

+20 V, +6 V

Typical Gate Charge @ Vgs

125 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

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5mm

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5.99mm

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