Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

RS 庫存號: 253-3509P品牌: Bourns製造商零件號: BIDW50N65T
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技術文件

規格

Brand

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

416 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Configuration

Single Diode

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143.40 MOP

64.51 MOP Each (Supplied in a Tube) (不含稅)

Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247
選擇包裝類型

生產包 (管子)

選擇包裝類型

標準 - each

可用的倍數 2.

生產 -

可用的倍數 2.

建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

2

可用的倍數 2
2143.40 MOP
4286.90 MOP
6387.10 MOP
8516.10 MOP
10645.10 MOP
12774.10 MOP
14903.10 MOP
161,032.10 MOP
181,161.20 MOP
201,290.20 MOP
221,419.20 MOP
241,548.20 MOP
261,580.80 MOP
281,702.40 MOP
301,824.00 MOP

143.40 MOP

64.51 MOP Each (Supplied in a Tube) (不含稅)

Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

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建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

2

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2143.40 MOP
4286.90 MOP
6387.10 MOP
8516.10 MOP
10645.10 MOP
12774.10 MOP
14903.10 MOP
161,032.10 MOP
181,161.20 MOP
201,290.20 MOP
221,419.20 MOP
241,548.20 MOP
261,580.80 MOP
281,702.40 MOP
301,824.00 MOP

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數量單價
5 - 2464.51 MOP
25 - 4960.80 MOP
50 - 12453.07 MOP
125+51.94 MOP

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Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

416 W

Number of Transistors

1

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