Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF
技術文件
規格
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
產品詳情
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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16.20 MOP
16.18 MOP Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
生產包 (卷)
1
16.20 MOP
16.18 MOP Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
生產包 (卷)
1
暫時無法取得庫存資訊。
| 數量 | 單價 |
|---|---|
| 1 - 12 | 16.18 MOP |
| 13 - 24 | 15.77 MOP |
| 25+ | 15.46 MOP |
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技術文件
規格
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
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