Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

RS 庫存號: 818-1302P品牌: Vishay製造商零件號: SI4909DY-T1-GE3
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技術文件

規格

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

34 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

41.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.55mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

原產地

China

產品詳情

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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2,631.90 MOP

129.33 MOP Each (Supplied on a Reel) (不含稅)

Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3
選擇包裝類型

生產包 (卷)

選擇包裝類型

標準 - each

可用的倍數 20.

生產 -

可用的倍數 20.

建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

20

可用的倍數 20
202,631.90 MOP
405,173.10 MOP
607,759.70 MOP
8010,156.60 MOP
10012,695.80 MOP
12015,234.90 MOP
14017,774.10 MOP
16020,313.20 MOP
18022,852.40 MOP
20025,391.50 MOP
22027,930.70 MOP
24030,469.80 MOP
26033,009.00 MOP
28035,548.10 MOP
30038,087.30 MOP

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405,173.10 MOP
607,759.70 MOP
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10012,695.80 MOP
12015,234.90 MOP
14017,774.10 MOP
16020,313.20 MOP
18022,852.40 MOP
20025,391.50 MOP
22027,930.70 MOP
24030,469.80 MOP
26033,009.00 MOP
28035,548.10 MOP
30038,087.30 MOP

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數量單價
32 - 62129.33 MOP
63+126.96 MOP

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Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

6.5 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

34 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3.2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

2

Length

5mm

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

41.5 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.55mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

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China

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