Vishay N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7850DP-T1-E3
技術文件
規格
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.89mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Height
1.04mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
產品詳情
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
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264.80 MOP
52.04 MOP Each (In a Pack of 5) (不含稅)
標準
5
264.80 MOP
52.04 MOP Each (In a Pack of 5) (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
標準
5
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| 數量 | 單價 |
|---|---|
| 150 - 299 | 52.04 MOP |
| 300+ | 51.11 MOP |
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N
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6.2 A
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60 V
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Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.89mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Height
1.04mm
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