Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

RS 庫存號: 253-3509P品牌: Bourns製造商零件號: BIDW50N65T
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技術文件

規格

Brand

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

416 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Configuration

Single Diode

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645.10 MOP

60.80 MOP Each (Supplied in a Tube) (不含稅)

Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247
選擇包裝類型

生產包 (管子)

選擇包裝類型

標準 - each

可用的倍數 10.

生產 -

可用的倍數 10.

建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

10

可用的倍數 10
10645.10 MOP
201,290.20 MOP
301,824.00 MOP
402,432.00 MOP
502,653.50 MOP
603,184.20 MOP
703,715.00 MOP
804,245.70 MOP
904,776.40 MOP
1005,307.10 MOP
1105,837.80 MOP
1206,368.50 MOP
1306,751.80 MOP
1407,271.20 MOP
1507,790.60 MOP

645.10 MOP

60.80 MOP Each (Supplied in a Tube) (不含稅)

Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

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10

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10645.10 MOP
201,290.20 MOP
301,824.00 MOP
402,432.00 MOP
502,653.50 MOP
603,184.20 MOP
703,715.00 MOP
804,245.70 MOP
904,776.40 MOP
1005,307.10 MOP
1105,837.80 MOP
1206,368.50 MOP
1306,751.80 MOP
1407,271.20 MOP
1507,790.60 MOP

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數量單價
25 - 4960.80 MOP
50 - 12453.07 MOP
125+51.94 MOP

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650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

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