Taiwan Semi N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 TSM2302CX RFG
技術文件
規格
Brand
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
3.69 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
產品詳情
N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
- 下載並使用我們的 DesignSpark 軟體進行 PCB 和 3D 機械設計
- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
生產包 (卷)
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
生產包 (卷)
50
暫時無法取得庫存資訊。
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
- 下載並使用我們的 DesignSpark 軟體進行 PCB 和 3D 機械設計
- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
技術文件
規格
Brand
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
3.69 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
產品詳情
N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
- 下載並使用我們的 DesignSpark 軟體進行 PCB 和 3D 機械設計
- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝