Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 7.4 A, 40 V, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3

RS 庫存號: 787-9452P品牌: Vishay製造商零件號: SQ3419EV-T1_GE3
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技術文件

規格

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

7.4 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

TSOP-6

Series

SQ Rugged

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

78 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

3.1mm

Width

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

產品詳情

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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458.60 MOP

44.72 MOP Each (Supplied on a Reel) (不含稅)

Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 7.4 A, 40 V, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3
選擇包裝類型

生產包 (卷)

選擇包裝類型

標準 - each

可用的倍數 10.

生產 -

可用的倍數 10.

建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

10

可用的倍數 10
10458.60 MOP
20917.10 MOP
301,375.70 MOP
401,834.30 MOP
502,292.90 MOP
602,751.40 MOP
703,210.00 MOP
803,577.90 MOP
904,025.10 MOP
1004,472.40 MOP
1104,919.60 MOP
1205,366.80 MOP
1305,814.10 MOP
1406,261.30 MOP
1506,600.40 MOP

458.60 MOP

44.72 MOP Each (Supplied on a Reel) (不含稅)

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20917.10 MOP
301,375.70 MOP
401,834.30 MOP
502,292.90 MOP
602,751.40 MOP
703,210.00 MOP
803,577.90 MOP
904,025.10 MOP
1004,472.40 MOP
1104,919.60 MOP
1205,366.80 MOP
1305,814.10 MOP
1406,261.30 MOP
1506,600.40 MOP

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數量單價
75 - 14944.72 MOP
150+44.00 MOP

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P

Maximum Continuous Drain Current

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Maximum Drain Source Voltage

40 V

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Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

78 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

3.1mm

Width

1.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

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