Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 10.9 A, 250 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ16DN25NS3GATMA1

RS 庫存號: 214-8987品牌: Infineon製造商零件號: BSZ16DN25NS3GATMA1
brand-logo

技術文件

規格

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10.9 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

PQFN 3 x 3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.165 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

醞釀。 創造。 合作

免費加入

無隱藏費用!

design-spark
design-spark
  • 下載並使用我們的 DesignSpark 軟體進行 PCB 和 3D 機械設計
  • 查看網站內容和論壇
  • 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
請點擊這裡了解更多

187,014,624.80 MOP

Each (On a Reel of 5000) (不含稅)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 10.9 A, 250 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ16DN25NS3GATMA1

187,014,624.80 MOP

Each (On a Reel of 5000) (不含稅)

Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 10.9 A, 250 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 BSZ16DN25NS3GATMA1

暫時無法取得庫存資訊。

暫時無法取得庫存資訊。

醞釀。 創造。 合作

免費加入

無隱藏費用!

design-spark
design-spark
  • 下載並使用我們的 DesignSpark 軟體進行 PCB 和 3D 機械設計
  • 查看網站內容和論壇
  • 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
請點擊這裡了解更多

技術文件

規格

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10.9 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Series

OptiMOS™ 3

Package Type

PQFN 3 x 3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.165 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

醞釀。 創造。 合作

免費加入

無隱藏費用!

design-spark
design-spark
  • 下載並使用我們的 DesignSpark 軟體進行 PCB 和 3D 機械設計
  • 查看網站內容和論壇
  • 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
請點擊這裡了解更多