IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P
技術文件
規格
Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
HiperFET, Polar
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
460 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Width
5.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
16.26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
21.46mm
產品詳情
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
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- 查看網站內容和論壇
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68.00 MOP
68.01 MOP Each (不含稅)
標準
1
68.00 MOP
68.01 MOP Each (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
標準
1
暫時無法取得庫存資訊。
| 數量 | 單價 |
|---|---|
| 1 - 7 | 68.01 MOP |
| 8 - 14 | 66.36 MOP |
| 15+ | 65.23 MOP |
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技術文件
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Brand
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
HiperFET, Polar
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
460 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 10 V
Width
5.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
16.26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
21.46mm
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N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
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