onsemi Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G
技術文件
規格
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.35mm
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
原產地
China
產品詳情
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
醞釀。 創造。 合作
免費加入
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8,947,728.40 MOP
Each (On a Reel of 3000) (不含稅)
3000
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暫時無法取得庫存資訊。
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P
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20 V
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SOT-363
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6
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1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.35mm
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
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