onsemi N-Channel MOSFET, 83 A, 40 V, 3-Pin DPAK NVD5C454NT4G
技術文件
規格
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
原產地
Vietnam
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
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- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
1,165.50 MOP
113.66 MOP Each (In a Pack of 10) (不含稅)
標準
10
1,165.50 MOP
113.66 MOP Each (In a Pack of 10) (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
標準
10
暫時無法取得庫存資訊。
| 數量 | 單價 |
|---|---|
| 63 - 124 | 113.66 MOP |
| 125+ | 111.91 MOP |
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Brand
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N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
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