ROHM RGE60TS65DGC13 Single IGBT, 51 A 650 V, 3-Pin TO-247GE, Through Hole
技術文件
規格
Brand
ROHMMaximum Continuous Collector Current
51 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
166 W
Number of Transistors
1
Configuration
Single
Package Type
TO-247GE
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
醞釀。 創造。 合作
免費加入
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230.00 MOP
71.32 MOP Each (In a Bag of 2) (不含稅)
ROHM RGE60TS65DGC13 Single IGBT, 51 A 650 V, 3-Pin TO-247GE, Through Hole
2
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ROHM RGE60TS65DGC13 Single IGBT, 51 A 650 V, 3-Pin TO-247GE, Through Hole
暫時無法取得庫存資訊。
2
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| 數量 | 單價 |
|---|---|
| 10 - 49 | 71.32 MOP |
| 50 - 99 | 43.21 MOP |
| 100+ | 42.05 MOP |
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51 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
166 W
Number of Transistors
1
Configuration
Single
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