Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3

RS 庫存號: 178-3722品牌: Vishay Siliconix製造商零件號: SQJA76EP-T1_GE3
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技術文件

規格

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

66 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

原產地

China

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45,576,438.80 MOP

Each (On a Reel of 3000) (不含稅)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3

3000

可用的倍數 3000
300045,576,438.80 MOP
600091,152,877.50 MOP
9000136,729,316.20 MOP
12000182,305,755.00 MOP
15000227,882,193.80 MOP
18000273,458,632.50 MOP
21000319,035,071.20 MOP
24000364,611,510.00 MOP
27000410,187,948.80 MOP
30000455,764,387.50 MOP
33000501,340,826.20 MOP
36000546,917,265.00 MOP
39000592,493,703.80 MOP
42000638,070,142.50 MOP
45000683,646,581.20 MOP

45,576,438.80 MOP

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Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3

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600091,152,877.50 MOP
9000136,729,316.20 MOP
12000182,305,755.00 MOP
15000227,882,193.80 MOP
18000273,458,632.50 MOP
21000319,035,071.20 MOP
24000364,611,510.00 MOP
27000410,187,948.80 MOP
30000455,764,387.50 MOP
33000501,340,826.20 MOP
36000546,917,265.00 MOP
39000592,493,703.80 MOP
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N

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75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

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Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

66 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

5mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

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