Vishay Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7288DP-T1-GE3
技術文件
規格
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
原產地
China
產品詳情
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
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946.00 MOP
92.23 MOP Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
生產包 (卷)
10
946.00 MOP
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暫時無法取得庫存資訊。
生產包 (卷)
10
暫時無法取得庫存資訊。
| 數量 | 單價 |
|---|---|
| 75 - 149 | 92.23 MOP |
| 150+ | 90.79 MOP |
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VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
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40 V
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Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
15.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
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1.07mm
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