Diodes Inc Quad N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.8 A, 3.1 A, 30 V, 8-Pin SM ZXMHC3A01T8TA

RS 庫存號: 823-1877P品牌: DiodesZetex製造商零件號: ZXMHC3A01T8TA
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技術文件

規格

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

1.8 A, 3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SM

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ, 330 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Full Bridge

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

4

Length

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.9 nC @ 10 V, 5.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

產品詳情

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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362.70 MOP

70.69 MOP Each (Supplied on a Reel) (不含稅)

Diodes Inc Quad N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.8 A, 3.1 A, 30 V, 8-Pin SM ZXMHC3A01T8TA
選擇包裝類型

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數量單價
50 - 9970.69 MOP
100+69.76 MOP

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Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ, 330 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1.7 W

Transistor Configuration

Full Bridge

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

4

Length

6.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.9 nC @ 10 V, 5.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

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