Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

RS 庫存號: 244-5819P品牌: Infineon製造商零件號: FD150R12RT4HOSA1
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規格

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

790 W

Number of Transistors

1

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P.O.A.

Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
選擇包裝類型

生產包 (盤)

選擇包裝類型

標準 - each

可用的倍數 1.

生產 -

可用的倍數 1.

建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

1

可用的倍數 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
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