onsemi N-Channel MOSFET, 44 A, 650 V, 3-Pin D2PAK FCB070N65S3
技術文件
規格
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
312 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
9.65mm
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
78 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.83mm
原產地
China
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
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- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
P.O.A.
Each (On a Reel of 1600) (不含稅)
1600
P.O.A.
Each (On a Reel of 1600) (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
1600
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Brand
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N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
312 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
9.65mm
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
78 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.83mm
原產地
China
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