onsemi N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 FDP4D5N10C
技術文件
規格
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.67mm
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
15.21mm
原產地
China
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
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- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
16,231,034.50 MOP
Each (In a Tube of 800) (不含稅)
800
16,231,034.50 MOP
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暫時無法取得庫存資訊。
800
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N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.67mm
Length
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
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