Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19534KCS
技術文件
規格
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
16.51mm
產品詳情
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
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- 查看網站內容和論壇
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P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (不含稅)
標準
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
標準
5
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N
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100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
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TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
118 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.1 nC @ 0 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
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