P-Channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2333DS-T1-E3
技術文件
規格
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
750 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.02mm
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
- 下載並使用我們的 DesignSpark 軟體進行 PCB 和 3D 機械設計
- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
生產包 (卷)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
生產包 (卷)
10
暫時無法取得庫存資訊。
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
- 下載並使用我們的 DesignSpark 軟體進行 PCB 和 3D 機械設計
- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝
技術文件
規格
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
TO-236
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
750 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.5 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.02mm
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
- 下載並使用我們的 DesignSpark 軟體進行 PCB 和 3D 機械設計
- 查看網站內容和論壇
- 下載超過一百萬種產品的 3D 模型、原理圖和封裝