onsemi MMBTA13LT1G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23

RS 庫存號: 781-4279品牌: onsemi製造商零件號: MMBTA13LT1G
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技術文件

規格

Brand

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

300 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

30 V

Maximum Emitter Base Voltage

10 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

5000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Base Voltage

30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

100nA

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

Height

1.01mm

Width

1.4mm

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

產品詳情

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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4,245.70 MOP

Each (In a Pack of 100) (不含稅)

onsemi MMBTA13LT1G Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23

100

可用的倍數 100
1004,245.70 MOP
2008,491.30 MOP
30012,737.00 MOP
40016,982.60 MOP
50021,228.30 MOP
60025,474.00 MOP
70029,719.60 MOP
80033,965.30 MOP
90038,210.90 MOP
100042,456.60 MOP
110046,702.30 MOP
120050,947.90 MOP
130055,193.60 MOP
140059,439.20 MOP
150063,684.90 MOP

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50021,228.30 MOP
60025,474.00 MOP
70029,719.60 MOP
80033,965.30 MOP
90038,210.90 MOP
100042,456.60 MOP
110046,702.30 MOP
120050,947.90 MOP
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Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

5000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Base Voltage

30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

100nA

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04mm

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Width

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