Vishay N-Channel MOSFET, 1.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK IRFU1N60APBF

RS 庫存號: 812-0660品牌: Vishay製造商零件號: IRFU1N60APBF
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技術文件

規格

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.4 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

36 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

2.39mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

6.22mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

原產地

Malaysia

產品詳情

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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973.80 MOP

Each (In a Pack of 10) (不含稅)

Vishay N-Channel MOSFET, 1.4 A, 600 V, 3-Pin IPAK IRFU1N60APBF
選擇包裝類型

標準

選擇包裝類型

標準 - each

可用的倍數 10.

生產 -

可用的倍數 10.

建議大批量訂購。 物品經過包裝即可插入機器，提高生產效率。

10

可用的倍數 10
10973.80 MOP
201,947.60 MOP
302,921.50 MOP
403,895.30 MOP
504,869.10 MOP
605,842.90 MOP
706,816.80 MOP
807,790.60 MOP
908,764.40 MOP
1009,738.20 MOP
11010,712.00 MOP
12011,685.90 MOP
13012,659.70 MOP
14013,633.50 MOP
15014,607.30 MOP

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Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

36 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

2.39mm

Transistor Material

Si

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1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

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