技術文件
規格
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-2
Series
SiC MOSFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
203mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.8mm
Height
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
暫時無法取得庫存資訊。
126.10 MOP
126.13 MOP Each (不含稅)
標準
1
126.10 MOP
126.13 MOP Each (不含稅)
暫時無法取得庫存資訊。
標準
1
| 數量 | 單價 |
|---|---|
| 1 - 249 | 126.13 MOP |
| 250 - 499 | 122.94 MOP |
| 500+ | 120.98 MOP |
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
技術文件
規格
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-2
Series
SiC MOSFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
203mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
45nC
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.8mm
Height
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
醞釀。 創造。 合作
免費加入
無隱藏費用！
